東芝記憶體公司宣布推出96層3D快閃記憶體

東芝記憶體公司第四代BiCS FLASH層數增加,儲存容量提高

東京--()--(美國商業資訊)--記憶體解決方案全球領導者東芝記憶體公司今日宣布,公司已開發出採用堆疊式結構[1]的96層BiCS FLASH™三維(3D)快閃記憶體的原型樣品,該產品採用三位元(三階儲存單元,TLC)技術。該96層新產品為256 Gigabit (32 GB)設備,其樣品預計將於2017年下半年發布,量產計畫於2018年啟動。該新設備滿足企業級和消費級SSD、智慧型手機、平板電腦和記憶卡等應用的市場需求和效能規範。

未來,東芝記憶體公司將在不久的將來在其512 Gigabit (64 GB)等較大容量產品中應用其新的96層製程技術和4位元(四階儲存單元,QLC)技術。

創新的96層層疊製程結合了先進的電路和製程技術,與64層層疊製程相比,其每單元晶片尺寸儲存容量增加約40%。該製程降低了位元儲存價格並提高了每個矽晶片記憶體容量的可製造性。

自2007年宣布推出全球首款[2]3D快閃記憶體技術原型機以來,東芝記憶體公司不斷推動3D快閃記憶體的發展並積極推廣BiCS FLASH™技術,以滿足市場對更小裸晶片體積、更大容量快閃記憶體的需求。

該96層BiCS FLASH™將在四日市生產據點5號晶圓廠(Fab 5)、2號新晶圓廠(Fab 2)和將於2018夏季投產的6號晶圓廠(Fab 6)生產。

註:
1.一種在矽基板上垂直堆疊快閃記憶體儲存單元的結構,相較於平面NAND快閃記憶體(儲存單元位於矽基板上),其密度大幅提高。
2.資料來源:東芝記憶體公司,截至2007年6月12日。
* 本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱均為其各自公司的商標。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

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東芝記憶體公司
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業務規劃部
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