Toshiba Memory Corporation kündigt 96-Layer-3D-Flash-Speicher an

BiCS FLASHder vierten Generation von der Toshiba Memory Corporation fügt mehr Layers hinzu und erhöht die Kapazität

TOKIO--()--Toshiba Memory Corporation, der weltweit führende Anbieter von Speicherlösungen, gab heute bekannt, dass er ein Prototyp-Muster des dreidimensionalen (3D) 96-Layer-Flash-Speichers BiCS FLASH™ mit einer gestapelten Struktur[1], mit 3-Bit-pro-Zelle- (Triple-Level-Cell, TLC) Technologie entwickelt hat. Muster des neuen 96-Layer-Produkts, das ein 256 Gigabit- (32 Gigabyte) Gerät ist, sind für die Freigabe in der zweiten Hälfte des Jahres 2017 geplant und die Massenproduktion wird für 2018 anvisiert. Das neue Gerät erfüllt die Marktnachfrage und Leistungsspezifikationen für Applikationen, die Unternehmens- und Verbraucher-SSD, Smartphones, Tablets und Speicherkarten einschließen.

Künftig wird die Toshiba Memory Corporation ihre neue 96-Layer-Prozesstechnologie für Produkte mit größerer Kapazität wie 512 Gigabit (64 Gigabyte) und 4-Bit-pro-Zelle (Quadruple-Level-Cell, QLC) -Technologie anwenden.

Der innovative 96-Layer-Stapelprozess wird mit fortschrittlicher Schaltungs- und Fertigungsprozesstechnologie kombiniert, um eine Kapazitätserhöhung von ca. 40 % pro Chipgröße im 64-Layer-Stapelprozess zu erreichen. Er reduziert die Kosten pro Bit und erhöht die Herstellbarkeit der Speicherkapazität pro Silizium-Wafer.

Seit der Ankündigung der weltweit ersten[2] Prototyp-3D-Flash-Speicher-Technologie im Jahr 2007 hat die Toshiba Memory Corporation die Entwicklung des 3D-Flash-Speichers weiter vorangetrieben und fördert aktiv den BiCS FLASH™, um die Nachfrage nach größeren Kapazitäten mit kleineren Die-Größen zu erfüllen.

Dieser 96-Layer-BiCS FLASH™ wird von der Yokkaichi Operations in Fab 5, der neuen Fab 2 und Fab 6, die im Sommer 2018 eröffnet wird, hergestellt.

Anmerkung:
1. Eine Struktur aus vertikal auf Silikonsubstrat gestapelten Flash Memory-Zellen zur Erzielung bedeutender Dichteverbesserungen im Vergleich zum planaren NAND Flash-Speicher, bei dem die Zellen auf dem Silikonsubstrat gebildet werden.
2. Quelle: Toshiba Memory Corporation, Stand: 12. Juni 2007.
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Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81 3 3457 3473
Business Planning Division
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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