Toshiba Memory Corporation annuncia la memoria flash 3D a 96 strati

La memoria BiCS FLASHdi quarta generazione di Toshiba Memory Corporation vanta un maggior numero di strati e una capacità superiore

TOKYO--()--Toshiba Memory Corporation, leader a livello mondiale in soluzioni di memoria, ha annunciato in data odierna di aver sviluppato un campione prototipo di memoria flash BiCS FLASH™ tridimensionale (3D) a 96 strati con una struttura in stack[1], con tecnologia di 3 bit per cella (triple-level cell, TLC). Si programma il lancio dei campioni del nuovo prodotto a 96 strati, che è un dispositivo a 256 gigabit (32 gigabyte), nella seconda metà del 2017 e si pianificala produzione in massa per il 2018.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

Contacts

Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
Divisione di pianificazione aziendale
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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