Toshiba’s nieuw ontwikkelde geïsoleerde N-Channel LDMOS realiseert de wisselwerking tussen High Breakdown Voltage en de negatieve biasspanning en HBM robuustheid

TOKIO--()--Toshiba (TOKYO:6502) heeft een volledig geïsoleerd N-channel LDMOS technologie ontwikkeld die de wisselwerking weerstaat tussen High Breakdown Voltage en de negatieve biasspanning en HBM robuustheid. Dat is een maat van weerstand tegen elektrostatische ontlading (ESD). Details van deze prestatie zijn op 1 juni gepresenteerd op ISPSD 2017, het International Symposium on Power Semiconductor Devices en ICs. Dat is een door IEEE gesponsorde internationale conferentie over stroom halfgeleiders in Japan.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.

Contacts

Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka, +81-3-3457-3576
Public Relations & Investor Relations Group
Business Planning Division
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Contacts

Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka, +81-3-3457-3576
Public Relations & Investor Relations Group
Business Planning Division
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp