La toute nouvelle technologie LDMOS de canal N complètement isolé développée par Toshiba présente à la fois une haute résistance HBM et une haute tension de claquage lors d’une polarisation négative avec des semi-conducteurs...

TOKYO--()--Toshiba (TOKYO:6502):

La toute nouvelle technologie LDMOS de canal N complètement isolé développée par Toshiba présente à la fois une haute résistance HBM et une haute tension de claquage lors d’une polarisation négative avec des semi-conducteurs de puissance analogique de la génération 0,13 micron

Toshiba (TOKYO:6502) a développé cette technologie LDMOS de canal N complètement isolé qui permet de dépasser le dilemme entre la tension de claquage lors d’une polarisation négative (breakdown voltage to negative bias - BVnb) et la résistance HBM, qui est une mesure de la résistance à la décharge électrostatique (Electronic Discharge - ESD). Les détails de ce succès ont été annoncés le 1er juin au Symposium international sur les composants semi-conducteurs de puissance et les circuits intégrés 2017 (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2017 – ISPSD 2017), une conférence internationale sur les semi-conducteurs de puissance, parrainée par l’IEEE, qui s’est tenue au Japon.

Au cours de ces dernières années, les besoins en circuits intégrés analogiques pour les véhicules automobiles, ainsi que les besoins en circuits intégrés de puissance intégrants des Nch-LDMOS complètement isolés et présentant un BVnb élevé n’ont cessé d’augmenter, et plus encore pour les composants supportant un voltage d’au moins 40 V. Jusqu’à aujourd’hui, on obtenait un BVnb plus élevé en sacrifiant la résistance HBM, et concilier les deux n’a été possible qu’en utilisant une puce plus grande qui permettait d’isoler électriquement les substrats et l’intérieur de la puce. Ces contraintes ont été un frein aux progrès à la fois en termes de miniaturisation et de réduction des coûts. En outre, dans la mesure où la résistance HBM est un paramètre difficile à estimer avant d’avoir fabriqué le composant, il s’est avéré fortement nécessaire de trouver un nouveau paramètre pour mesurer la résistance HBM.

Afin de dépasser l’alternative résistance HBM versus BVnb, tout en minimisant la taille de la puce, Toshiba a mis en place des simulations TCAD 2D de nombreux paramètres et a découvert que la concentration du flux électrique, qui correspond à la valeur de crête du champ électrique sous la zone du drain (Electric field Under the Drain region - EUD), dépend de la résistance HBM. En conséquence, en utilisant l’EUD dans le but d’optimiser les caractéristiques de la puce en ajustant les différents paramètres, Toshiba est parvenu à améliorer la résistance HBM tout en conservant une tension nominale allant de 25 à 96 V. Cela a également permis d’obtenir une réduction de 46 % de la taille de la puce pour les produits Nch-LDMOS complètement isolés de 80 V, avec un HBM satisfaisant de +/-4 kV, une mesure de la résistance HBM.

Toshiba a mis en production des prototypes de composants BiCD-0.13G3 fondés sur les procédés utilisant cette nouvelle technologie et prévoit de lancer la production à grande échelle au cours de l’année fiscale 2018. L’entreprise s’est engagée à contribuer à la réalisation de véhicules automobiles plus légers et plus efficaces et à améliorer leur performance en étendant la gamme de produits intégrant des Nch-LDMOS complètement isolés.

*1 HBM (Human Body Model) : il s’agit d’un modèle pour caractériser la sensibilité des composants électroniques à l’ESD, sur la base de l’ESD du corps humain.

*2 Nch-LDMOS complètement isolé : Il s’agit d’un transistor MOS avec diffusion latérale dont la structure permet de réduire le champ électrique entre le drain et la grille en les isolant complètement électriquement.

*3 EUD (Electrical field under Drain region - champ électrique sous la zone du drain) : Force du champ électrique observé sous la source du drain.

*4 Technologie des procédés BiCD-0.13G3 : Il s’agit d’une des technologies des procédés des semi-conducteurs de puissance de Toshiba. Les utilisateurs peuvent choisir le procédé qui convient à leur application : BiCD-0.13G1/G2/G3, principalement pour les véhicules automobiles ; CD-0.13G3, principalement pour les systèmes de contrôle moteur ; et CD-0.13G1/G2, principalement pour les circuits intégrés de gestion de puissance.

À propos de Toshiba

Toshiba Corporation, une entreprise du classement Fortune Global 500, canalise ses compétences de classe mondiale en produits et systèmes électroniques et électriques de pointe, et se concentre sur trois domaines d’activités : L'Énergie qui soutient une vie de tous les jours plus propre et plus sûre ; l'Infrastructure qui permet de maintenir la qualité de vie et le Stockage qui soutient une société d'information avancée. Guidée par les principes d'engagement élémentaire du groupe Toshiba, « Committed to People, Committed to the Future » (« Engagé pour les autres, engagé pour l'avenir »), Toshiba promeut des opérations mondiales et contribue à la réalisation d'un monde dans lequel les générations futures vivront mieux.

Fondée à Tokyo en 1875, Toshiba se situe aujourd’hui au cœur d’un réseau mondial de 550 entreprises consolidées, employant plus de 188 000 personnes à travers le monde, avec des ventes annuelles dépassant les 5,6 billions JPY (50 milliards USD). (au 31 mars 2016)

Pour en savoir plus sur Toshiba, consultez le site www.toshiba.co.jp/index.htm

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

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Toshiba Corporation
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Koichi Tanaka, +81-3-3457-3576
Public Relations & Investor Relations Group (Groupe Relations publiques & relations avec les investisseurs)
Business Planning Division (Division Business Planning)
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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