Il metallo ossido semiconduttore a doppia diffusione laterale (lateral double diffusion metal-oxide-semiconductor, LDMOS) a canale N completamente isolato appena sviluppato da Toshiba presenta livelli elevati...

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Il metallo ossido semiconduttore a doppia diffusione laterale (lateral double diffusion metal-oxide-semiconductor, LDMOS) a canale N completamente isolato appena sviluppato da Toshiba presenta livelli elevati di robustezza HBM e tensione di scarica disruptiva alle polarizzazioni negative nei semiconduttori analogici della generazione 0,13 micron

Toshiba (TOKYO:6502) ha sviluppato una tecnologia per LDMOS a canale N completamente isolati che elimina il compromesso tra tensione di scarica disruptiva alle polarizzazioni negative (breakdown voltage to negative bias, BVnb) e robustezza HBM, un parametro di misurazione della resistenza alla scarica elettrostatica (electrostatic discharge, ESD). I dettagli relativi a tale novità sono stati comunicati il 1° giugno all'edizione del 2017 del Simposio internazionale sui dispositivi a semiconduttore sotto tensione e circuiti integrati (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2017), una conferenza internazionale sponsorizzata dall'IEEE dedicata ai semiconduttori sotto tensione tenuta in Giappone.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

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Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka, +81-3-3457-3576
Gruppo Relazioni pubbliche e Relazioni con gli investitori
Divisione Pianificazione aziendale
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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