東芝推出具備更強去飽和感測功能的智慧閘極驅動光電耦合器

Toshiba: "TLP5214A," a smart gate driver photocoupler with improved desaturation sensing function (Photo: Business Wire)

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東京--()--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO:6502)旗下儲存與電子元件解決方案公司今日宣布推出一款新的智慧閘極驅動光電耦合器TLP5214A,該產品適用於驅動中等功率IGBT和功率MOSFET,具有比現有TLP5214更出色的去飽和感測功能。量產出貨即日啟動。

TLP5214A整合有去飽和前緣空白時間、濾波時間以及軟關閉性能優化等一系列新功能。這些功能有助於在開關和去飽和感測期間抑制短期脈衝雜訊,保護應用的安全執行。

根據2015年和2016年的銷售額,Gartner最新市場報告肯定了東芝作為光耦合器領先製造商的地位。2016會計年度,東芝相關產品的市佔率達23%。(資料來源:Gartner「市佔率:2016年全球半導體設備和應用」,2016年3月30日)

東芝將根據市場趨勢促進多樣化光電耦合器和光繼電器產品組合的開發,繼續提供滿足客戶需求的產品。

應用場合

• IGBT/MOSFET驅動
• 工業變頻器
• 太陽能變頻器
• 伺服放大器
• 空調變頻器
 

新功能

去飽和前緣空白時間:1.1μs(典型值)
去飽和濾波時間:90ns(典型值)
軟關閉時間(tDESAT(10%))**:7μs(典型值)現有產品[1]:3.5μs(典型值)
** 在Cg = 25nF的條件下
 

主要規格

(除非另作說明,Ta=-40-110℃。所有典型值條件為Ta = 25℃)
產品型號   TLP5214A
電氣
特性
  峰值輸出電流 ±4.0 A(最大值)
電源電壓 15-30V
電源電流 3.8 mA(最大值)
閾值輸入電流 6 mA(最大值)
開關
特性
傳輸延遲時間 150 ns(最大值)
傳輸延遲偏差 -80-80 ns
保護
功能
IGBT去飽和檢測 去飽和閾值電壓:6.5 V(典型值)
去飽和前緣空白時間:1.1 μs(典型值)
去飽和濾波時間:90 ns(典型值)
軟關閉 去飽和感測10%延遲時間:7 μs(典型值)*Cg = 25 nF
去飽和感測10%延遲時間:3.5 μs(典型值)*Cg = 10 nF
米勒箝位(關) 箝位引腳閥值電壓:2.5 V(典型值)
欠壓鎖定(UVLO) VUVLO+:11.6 V(典型值)
VUVLO-:10.3 V(典型值)
隔離
特性
(@Ta = 25 ℃)
隔離電壓 5000 Vrms(最小值)
電氣間隙 8.0 mm(最小值)
爬電距離 8.0 mm(最小值)
  隔離層厚度   0.4 mm(最小值)
 


[1] 現有產品TLP5214

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關於東芝
東芝公司是一家《財星》雜誌全球500大企業,致力於將其在先進電子和電氣產品及系統方面的一流能力運用於三大重點業務領域:更為清潔和安全的維持日常生活的能源業務;保持生活品質的基礎建設業務;以及實現先進的資訊社會的儲存業務。在東芝集團的基本承諾「為了人類和地球的明天」的指引下,東芝竭力推動全球業務,並致力於實現一個讓子孫後代可以享有更加美好的生活的世界。

東芝於1875年在東京成立,如今已成為一家有著550家附屬公司的環球企業,全球擁有超過188,000名員工,年銷售額逾5.6兆日圓(500億美元)。(截至2016年3月31日)
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媒體詢問:
東芝公司
儲存與電子元件解決方案公司
數位行銷部
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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