Transphorm auf der PCIM 2017: Die GaN-Revolution hat begonnen

  • Erste für den Einsatz in Fahrzeugen zugelassenen 650-V-GaN-FETs
  • Die ersten Kundenprodukte ihrer Art in Produktion
  • Bevorstehende Referenzkonzepte und -module

GOLETA, Kalifornien--()--Auf der Messe Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM) Europa 2017 wird Transphorm Inc., der führende Entwickler und Hersteller von JEDEC-Normen entsprechenden 650-V-Galliumnitrid (GaN)-Halbleitern, demonstrieren, welche Dynamik Hochspannungs-GaNs auf dem Markt entwickeln. Verschiedene Exponate werden die Vorteile der Hochspannungs-GaN-FETs von Transphorm demonstrieren, die in Leistungselektronik, wie beispielsweise Stromversorgungen, Servomotoren und Photovoltaik-Wechselrichtern eingesetzt werden. Darüber hinaus wird das Unternehmen seinen vor Kurzem bekannt gegebenen nach AEC-Q101 qualifizierten GaN-FET ausstellen – die erste für den Einsatz in Fahrzeugen zugelassene GaN-Technologie der Branche.

Die PCIM-Demonstration von Transphorm kann am Stand der HY-LINE-Leistungskomponenten [9-525]besichtigt werden. Weitere Demos finden am Stand von GLYN GmbH & Co. [9-301]statt.

Transphorm wird auch eine Informationsveranstaltung zu Entwicklungsmethoden für Hochspannungs-GaN leiten. Besprechungstermine mit Teammitgliedern können während der PCIM hier angefragt werden.

Vortragstermin:

Sitzung: GaN – Design, EMC and Measurement (GaN – Design, EMC und Messtechnik)
Redner: Philip Zuk, Senior Director of Technical Marketing
Datum/Zeit: Mittwoch, den 17. Mai um 14:30 Uhr
Ort: Halle 6, Stand 143

Showcase-Höhepunkte:

Vorschau des integrierten 3,5-kW-Halbbrückenmoduls: Die leicht zu verwendenden Oberflächenmontage-Halbbrückenmodule von Transphorm wurden entwickelt, um das PCB-Layout zu vereinfachen und die Entwicklungszeit zu verkürzen. Transphorm wird dieses Modul schon bald als Baustein für brückenlose Totem-Pole, Halbbrücken-, Vollbrücken- und LLC-Topologien anbieten.

Der erste GaN-Servomotor der Branche: Der integrierte Servomotor von Yaskawa, der speziell für Anwendungen von 100 W bis 400 W ausgelegt ist, verwendet GaN-FETs von Transphorm zur Steigerung der Leistungsdichte und des Wirkungsgrads von Systemen, zur Vereinfachung der Systemarchitektur und zur Erzielung einer dramatischen Reduzierung der Systemgröße.

Die erste redundante GaN-Stromversorgung der Branche: Die redundante Wechselspannungsversorgung von Telcodium, die für Anwendungen mit 500 W ausgelegt ist, verwendet TPH3206PS- und TPH3202PS-GaN-FETs von Transphorm, um Leistungsdichte und Wirkungsgrad zu erhöhen und gleichzeitig die Innentemperatur und den Standby-Verbrauch dramatisch (auf weniger als 1 W) zu reduzieren.

Die erste GaN-AC-DC-Stromversorgung der Branche mit brückenlosem Totem-Pole-PFC: Der für 3-kW-Anwendungen entwickelte Bel Power TET3000 verwendet den TPH3205WS von Transphorm, um einen 80 Plus Titanium-Wirkungsgrad zu erzielen und gleichzeitig die Systemgröße weit genug zu reduzieren, um den Anforderungen eines 1HE-Designs Rechnung zu tragen.

Vorschau auf Hochspannungs-GaN-Referenzdesigns: Teilnehmer werden Gelegenheit haben, die neuen Referenzdesigns für den 4,2-kW-PV-Inverter (DC in DC, DC in AC) und den 3,3-kW-Totem-Pole-PFC von Transphorm zu sehen, die später im Jahr herauskommen werden. Diese Produkte verkörpern eine Art von Kundendesignressource, die aus dem vor Kurzem von Transphorm bekannt gegebenen Silicon Valley Center of Excellence stammt.

Willkommen zur GaN-Revolution!

Transphorm ist ein globales Halbleiterunternehmen, das vollständig auf die Bereitstellung von Galliumnitrid(GaN)-Komponenten höchster Qualität und höchster Zuverlässigkeit für Anwendungen zur Hochspannungswandlung ausgerichtet ist. Um dies zu gewährleisten, setzt Transphorm seinen einzigartigen, vertikal integrierten Ansatz ein, bei dem in jeder Phase das erfahrenste GaN-Entwicklungsteam dem Branche zum Zuge kommt, und zwar in Konstruktion, Fertigung sowie Geräte- und Applikationsintegrationdesign. Dieser Ansatz, unterstützt durch das bisher größte IP-Portfolio der Branche mit über 600 einzigartigen Patenten, hat die einzigen JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten GaN-FETs der Branche hervorgebracht. Die Innovationen von Transphorm bewegen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus, um über 99 % Wirkungsgrad zu erzielen, den Energieverlust um mehr als 40 % und die Systemkosten um 20 % zu reduzieren. Schließen Sie sich der Revolution an unter transphormusa.com und folgen Sie uns unter @transphormusa.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

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Crimson Communicates
Heather Ailara, +1 917-715-3273
heather@crimsoncom.com

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