Transphorm à PCIM 2017 : la révolution GaN a commencé

  • Les premiers FET GaN 650 V qualifiés pour l’automobile
  • Des produits de consommation d’un tout nouveau genre dorénavant en production
  • Des modules et des concepts de référence à venir

GOLETA, Californie--()--À l’occasion du salon Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM) Europe 2017, Transphorm Inc., le leader en matière de conception et de fabrication de semi-conducteurs au nitrure de gallium (GaN) 650 V certifiés JEDEC, témoignera du dynamisme des produits GaN haute tension sur le marché. Divers présentoirs exposeront les avantages des FET GaN haute tension de Transphorm lorsqu’ils sont utilisés dans des systèmes électroniques de puissance comme les alimentations, les servomoteurs et les onduleurs photovoltaïques. Par ailleurs, la société présentera son FET GaN certifié AEC-Q101 récemment annoncé - la première technologie GaN du secteur à être de classe automobile.

La vitrine de Transphorm à PCIM sera installée sur le stand Composants de puissance de HY-LINE [9-525]. Des démonstrations supplémentaires auront lieu sur le stand de GLYN GmbH & Co. [9-301].

Transphorm mènera également une séance éducative sur les méthodes de conception des GaN haute tension. Il est possible d’organiser une rencontre avec un membre de l’équipe, durant le salon PCIM, en cliquant ici.

Engagement d'allocution :

Séance : GaN – Conception, compatibilité électromagnétique et mesure
Intervenant : Philip Zuk, directeur principal du marketing technique
Date / heure : Mercredi 17 mai à 14 h 30
Lieu : Hall 6, stand 143

Points forts de la présentation :

Aperçu du module en demi-pont intégré de 3,5 kW : Le module de Transphorm, en demi-pont pour montage en surface et facile à utiliser, est conçu pour simplifier la disposition du circuit imprimé et réduire les délais de conception. Transphorm proposera prochainement ce module, sous forme d’élément de base, pour les topologies totem sans pont, demi-pont, pont intégral et LLC.

Premier servomoteur GaN de l’industrie : Ciblant les applications de 100 à 400 W, le servomoteur intégré Yaskawa utilise les FET GaN de Transphorm pour augmenter la densité de puissance et l’efficacité du système, pour simplifier l’architecture du système et pour permettre une réduction spectaculaire de la taille du système.

Première alimentation redondante GaN de l’industrie : Ciblant les applications de 500 W, l’alimentation CA redondante Telcodium utilise les FET GaN TPH3206PS et TPH3202PS de Transphorm pour augmenter l’efficacité et la densité de puissance, tout en réduisant considérablement la consommation en veille (à moins de 1 W) et la production de température interne.

Première alimentation CA-CC GaN de l’industrie avec PFC totem sans pont : Ciblant les applications de 3 kW, le Bel Power TET3000 utilise le TPH3205WS de Transphorm pour parvenir à une efficacité 80 Plus Titanium tout en réduisant la taille du système afin qu’il puisse tenir dans 1U.

Aperçus des concepts de référence de GaN haute tension : Les visiteurs auront l’occasion de voir l’onduleur photovoltaïque (CC vers CC, CC vers CA) de 4,2 kW de Transphorm et les concepts de référence PFC totem de 3,3 kW, dont le lancement est prévu dans le courant de l’année. Ces produits illustrent un type de ressource de design client fourni par le Centre d'excellence de la Silicon Valley récemment annoncé de Transphorm.

Bienvenue dans la révolution GaN !

Transphorm est une société mondiale de semi-conducteurs, menant la révolution GaN avec les dispositifs au nitrure de gallium (GaN) les plus performants et les plus fiables pour les applications de conversion de puissance haute tension. Pour ce faire, Transphorm déploie son approche commerciale unique, verticalement intégrée, qui s'appuie sur l’équipe technique la plus expérimentée de l’industrie dans le domaine du GaN à tous les stades de développement : conception, fabrication, dispositif et support d'application. Cette approche, soutenue par l’un des plus importants portefeuilles de propriété intellectuelle de l'industrie avec plus de 600 brevets, a généré les seuls FET GaN certifiés JEDEC et AEC-Q101 du secteur. Les innovations de Transphorm révolutionnent l'électronique de puissance au-delà des limites du silicium pour atteindre un rendement supérieur à 99 %, une densité de puissance 40 % supérieure et offrir un coût système réduit de 20 %. Participez à la révolution sur transphormusa.com et suivez-nous sur @transphormusa.

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Contacts

Crimson Communicates
Heather Ailara, +1 917-715-3273
heather@crimsoncom.com

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