Pronti per la distribuzione di campioni della memoria flash 3D da 512 gigabit a 64 strati di Toshiba

-- La gamma si arricchisce con il chip BiCS FLASH™ dalla più grande capacità di memoria del mercato --

TOKYO--()--Toshiba Corporation (TOKYO:6502) presenta oggi l’ultima novità della sua prestigiosa linea di memorie flash tridimensionali BiCS FLASH™ con struttura a celle impilate*1, un dispositivo a 64 strati con una capacità di ben 512 gigabit (64 gigabyte) con tecnologia di 3 bit per cella (triple-level cell, TLC). Il nuovo dispositivo sarà utilizzato per varie applicazioni, tra cui le unità a stato solido (solid-state drive, SSD) per i mercati consumer e aziendale.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

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Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Public Relations & Investor Relations Group
Business Planning Division
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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