Toshiba inizia la costruzione di Fab 6 e del centro di ricerca e sviluppo Memory a Yokkaichi, in Giappone

Artist's impression of Fab 6, Yokkaichi Operations (Graphic: Business Wire)

???pagination.previous??? ???pagination.next???

YOKKAICHI, Giappone--()--Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha annunciato oggi di aver iniziato la costruzione di Fab 6, un nuovo stabilimento all’avanguardia per la fabbricazione di semiconduttori, e di un nuovo centro di ricerca e sviluppo, il Memory R&D Center, presso Yokkaichi Operations nella prefettura di Mie, in Giappone, la principale base di produzione di memorie della società.

Fab 6 sarà dedicato alla produzione di BiCS FLASH™, l’innovativa memoria flash 3D di Toshiba1. Come per Fab 5, la costruzione avverrà in due fasi, permettendo di ottimizzare il ritmo dell’investimento in linea con le tendenze del mercato, con il completamento della Fase 1 previsto per l’estate del 2018.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

Contacts

Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Public Relations & Investor Relations Group
Business Planning Division
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Contacts

Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Public Relations & Investor Relations Group
Business Planning Division
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp