Toshiba expédie le premier échantillon de mémoire flash 3D à 64 couches au monde

-- Le Toshiba BiCS FLASH™ de nouvelle génération ajoute des couches, renforce la capacité --

64-layer BiCS FLASH (Photo: Business Wire)

TOKYO--()--La société Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a dévoilé aujourd'hui la toute dernière génération de sa mémoire flash tridimensionnelle (3D) BiCS FLASH™, dotée d'une structure de cellules empilées*1, un dispositif à 64 couches qui sera le premier au monde à être expédié aujourd'hui sous forme d'échantillon*2. Le nouveau dispositif incorpore une technologie de 3 bits par cellule (cellule à triple niveau, TLC) et atteint une capacité de 256 gigabits (32 giga-octets), un développement qui souligne le potentiel de l'architecture exclusive de Toshiba. Toshiba continue de raffiner BiCS FLASH™, et la prochaine étape de sa feuille de route de développement est un dispositif de 512 gigabits (64 giga-octets) comportant également 64 couches.

Le nouveau dispositif succède au BiCS FLASH™ à 48 couches, et son processus d'empilement de 64 couches à la pointe de la technologie augmente de 40 % la capacité par dimension de puce formant une unité, comparé au processus d'empilement à 48 couches, réduit le coût par bit, et augmente la manufacturabilité de la capacité de mémoire par tranche de silicium. Le BiCS FLASH™ à 64 couches peut répondre à des spécifications exigeantes en termes de performance, et le nouveau dispositif sera utilisé dans des applications, telles que le SSD d'entreprise et grand public, les smartphones, tablettes et cartes de mémoire.

Depuis l'annonce de la première technologie de mémoire flash 3D prototype au monde*3 en juin 2007, Toshiba a continué de promouvoir son développement. La société promeut activement BiCS FLASH™ afin de répondre à la demande pour une capacité accrue dans une dimension réduite.

Toshiba produira le nouveau BiCS FLASH™ à 64 couches dans le site New Fab 2 de Yokkaichi, dont l'ouverture officielle a eu lieu au début du mois, et la production de masse du dispositif BiCS FLASH™ à 64 couches devrait commencer dans les six premiers mois de 2017.

*1: Une structure empilant des cellules de mémoire Flash à la verticale sur un substrat de silicium afin de réaliser des améliorations significatives de la densité par rapport à la mémoire flash planaire NAND, où des cellules sont formées sur le substrat de silicium.
*2 : Au 27 juillet 2016. Enquête de Toshiba.
*3: Présentation de Toshiba, 12 juin 2007.
* BiCS FLASH est une marque de commerce de Toshiba Corporation.

À propos de Toshiba

Toshiba Corporation, une entreprise du classement Fortune Global 500, canalise ses compétences de classe mondiale en produits et systèmes électroniques et électriques de pointe, et se concentre sur trois domaines d’activités : L'énergie qui soutient une vie de tous les jours plus propre et plus sécurisée ; L'infrastructure qui soutient la qualité de vie ; et le stockage qui soutient une société d'information avancée. Guidée par les principes d'engagement élémentaire du groupe Toshiba, « Committed to People, Committed to the Future » (« Engagé pour les autres, engagé pour l'avenir »), Toshiba promeut des opérations mondiales et contribue à la réalisation d'un monde dans lequel les générations futures vivront mieux.

Fondée à Tokyo en 1875, Toshiba se situe aujourd’hui au cœur d’un réseau mondial de 550 entreprises consolidées, employant plus de 188 000 personnes à travers le monde, avec des ventes annuelles dépassant les 5,6 billions JPY (50 milliards USD). (au 31 mars 2016).
Pour en savoir plus sur Toshiba, consultez le site www.toshiba.co.jp/index.htm

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

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Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka / Kota Yamaji
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Téléphone : +81-3-3457-3576
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