TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha sviluppato un dispositivo per la protezione contro le cariche elettrostatiche (Electrostatic Discharge, ESD) per l’impiego nei semiconduttori analogici di potenza con tecnologia di processo da 0,13 μm, in grado di ottimizzare la struttura dei transistor e migliorare significativamente le caratteristiche ESD. La protezione ESD risulta fino a quattro volte più efficace, con una deviazione standard pari solo a 1/12 dei dispositivi con struttura convenzionale. L’analisi delle simulazioni in 3D ha consentito inoltre a Toshiba di identificare un meccanismo per l’ottimizzazione della struttura dei transistor al fine di potenziare l’efficacia della protezione ESD.
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