东芝面向汽车应用推出40V N沟道低导通电阻功率MOSFET

产品阵容中新增可以降低导通损耗和电磁干扰的新产品

Toshiba: 40V N-ch Low ON-resistance Power MOSFET for Automotive Applications "TKR74F04PB" (Photo: Business Wire)

东京--()--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO: 6502)旗下半导体与存储产品公司今日宣布面向直流-直流转换器、电动助力转向系统(EPS)大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用推出40V N沟道功率MOSFET。MOSFET产品阵容的最新产品“TKR74F04PB”出货即日启动。

该新产品对利用东芝最先进的第9代MOS “U-MOS IX Series”沟道工艺制造的芯片进行低阻抗TO-220SM(W)封装,实现了业界领先的[1]低导通电阻。新产品的低导通电阻和低开关噪声级有助于在汽车应用中降低导通损耗和电磁干扰。


[1] 在具有相同额定功率的产品类别中,截至2016年1月29日。东芝调查。

更多有关该产品的信息,请访问如下链接:
http://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TKR74F04PB&lang=en&region=apc&sug=1

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更多信息请访问东芝网站:www.toshiba.co.jp/index.htm

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