東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝は、48層積層プロセスを用いた世界初注１の256ギガビット（32ギガバイト）の3ビット／セル（TLC） 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASHTM」注２を開発し、9月からサンプル出荷を開始します。本製品は、SSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどのコンシューマ製品やデータセンター向けエンタープライズSSDなど市場のニーズに合わせて展開していく予定です。
本製品では、世界最先端の48層積層プロセスを用い、回路技術やプロセスを最適化することで、現行の2次元NAND型フラッシュメモリと比べて大容量化したほか、書き込み速度を高速化するとともに、書き換え寿命も長寿命化するなどの信頼性も向上しています。
当社は、2007年に3次元積層構造を用いたフラッシュメモリを世界で初めて公表注３して以来、生産性の最適化を含めて開発してきました。今後も継続して求められるメモリの大容量化、小型化など多様な市場ニーズに応えるため、フラッシュメモリの3次元積層構造化を進め、SSDを中心とした製品群を展開していきます。
なお、本製品は、当社四日市工場の第5棟で製造を開始し、2016年前半に竣工予定の新・第2製造棟でも製造する予定です。
注１ 当社調べ
注２
従来のシリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並べたNAND構造ではなく、シリコン平面から垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げ、素子密度を大幅に向上した構造。
注３
2007年6月12日当社発表資料
* BiCS FLASHTMは、株式会社東芝の商標です。
