Infineon y Panasonic Establecerán un Abastecimiento Dual para Dispositivos de Potencia de 600V de GaN Normalmente Inactivos

APEC 2015

MUNICH, Alemania y OSAKA, Japón--()--Infineon Technologies AG (FSE: IFX/OTCQX: IFNNY) y Panasonic Corporation (TSE: 6752) han anunciado un acuerdo en virtud del cual ambas empresas desarrollarán conjuntamente los dispositivos de nitruro de galio (GaN) basados en la estructura del transistor de GaN en silicio normalmente inactivo (modo mejorado) de Panasonic integrado en los paquetes de dispositivos montados en superficie (Surface Mount Device, SMD) de Infineon. En este contexto, Panasonic otorgó a Infineon una licencia para su transistor de GaN en silicio normalmente inactivo. Este acuerdo permitirá que cada una de las empresas fabrique dispositivos de GaN de alto rendimiento. Los clientes disfrutarán de una ventaja adicional al contar con dos fuentes posibles de paquetes compatibles de interruptores de alimentación de GaN: una configuración que no está disponible para ningún otro transistor de GaN en silicio hasta el momento. Ambas partes acordaron no revelar mayores detalles sobre el acuerdo. Por primera vez, las empresas exhibirán muestras de un dispositivo de 600V 70mΩ en un módulo con contactos duales (Dual Small Outline, DSO) en la feria Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), que se celebrará en Charlotte, Carolina del Norte, del 15 al 19 de marzo de 2015.

El GaN en silicio ha recibido considerable atención ya que se lo considera como una de las tecnologías de semiconductores compuestos del futuro que por un lado permite una alta densidad de potencia y, por lo tanto, una huella menor (por ejemplo, para fuentes de alimentación y adaptadores), y por otra parte constituye un elemento fundamental para la mejora de la eficiencia energética. En general, los dispositivos de potencia basados ​​en la tecnología de GaN en silicio se pueden utilizar en una gran variedad de campos, desde aplicaciones industriales de alta tensión, tales como fuentes de alimentación en torres de servidores (una posible aplicación del dispositivo de 600V de GaN exhibido) hasta aplicaciones de baja tensión tales como la conversión CC-CC (por ejemplo, en productos para el consumidor de gama alta). Según un informe de investigación de mercado de IHS, se prevé que el mercado relacionado con el GaN en silicio para semiconductores de potencia crezca con una tasa compuesta de crecimiento anual (Compound annual growth rate, CAGR) superior al 50 %, lo que lleva a una expansión del volumen de 15 millones de USD en 2014 a 800 millones de USD en 2023.

"Infineon se ha comprometido a suministrar a sus clientes una amplia cartera de productos y tecnología de la mejor clase, incluidos los dispositivos de potencia confiable basados ​​en nitruro de galio. Estamos convencidos de que con el modo mejorado de los interruptores de GaN en silicio, junto con nuestro controlador y sistema de conducción optimizado correspondientes, proporcionaremos un producto de gran valor a nuestros clientes, mientras que el concepto de abastecimiento dual les permitirá gestionar y estabilizar sus cadenas de suministro", declaró Andreas Urschitz, Presidente de la División de Gestión de Potencia y Multimercado de Infineon Technologies AG.

"Panasonic desarrolló la tecnología de potencia de GaN normalmente inactivo con una configuración simple y una dinámica fácil de controlar, utilizando plenamente su experiencia en semiconductores compuestos. Esperamos acelerar la expansión de los dispositivos de potencia de GaN mediante la concesión de licencias de nuestro transistor de GaN normalmente inactivo, que forma parte de nuestra tecnología de potencia de GaN, a Infineon. Colaboraremos continuamente en brindar soluciones a las solicitudes de los consumidores mediante la innovación de nuestra tecnología de GaN normalmente inactivo", señaló Toru Nishida, Presidente de Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.

Acerca de Infineon

Infineon Technologies AG es una empresa líder a nivel mundial en semiconductores. Infineon ofrece productos y soluciones de sistemas que abordan tres desafíos centrales de la sociedad moderna: eficiencia energética, movilidad y seguridad. En el año fiscal 2014 (que finalizó el 30 de septiembre), la empresa registró 4300 millones de EUR en ventas con aproximadamente 29 800 empleados a nivel mundial. En enero de 2015, Infineon adquirió International Rectifier Corporation, un proveedor líder de tecnología de gestión de potencia con sede en EE. UU., con ingresos de 1100 millones de USD (en el año fiscal 2014 que finalizó el 29 de junio) y aproximadamente 4200 empleados.

Infineon cotiza en la Bolsa de Valores de Frankfurt (símbolo bursátil: IFX) y en el mercado extrabursátil de los EE. UU. OTCQX Internacional Premier (símbolo bursátil: IFNNY). Se dispone de más información en www.infineon.com

Este comunicado de prensa está disponible en www.infineon.com/press

Acerca de Panasonic

Panasonic Corporation es líder mundial en el desarrollo e ingeniería de tecnologías electrónicas y soluciones para clientes en aplicaciones residenciales, no residenciales, de movilidad y personales. Desde su fundación en 1918, la compañía se ha expandido internacionalmente y ahora opera cerca de 500 empresas consolidadas en todo el mundo; además, registra ventas netas consolidadas de 7740 billones de JPY para el año finalizado el 31 de marzo de 2014. Comprometida con la búsqueda de nuevos valores a través de la innovación en todas las líneas de división, la compañía se esfuerza por crear una vida mejor y un mundo mejor para sus clientes. Para obtener más información sobre Panasonic, visite el sitio web de la empresa en http://panasonic.net.

El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versión oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptación y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la única versión del texto que tendrá un efecto legal.

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