Infineon en Panasonic zorgen voor dual-sourcing van doorgaans uitgeschakelde GaN-apparaten voor 600V

APEC 2015

MUNICH, Germany and OSAKA, Japan--()--Infineon Technologies AG en Panasonic Corporation hebben aangekondigd dat ze een overeenkomst hebben gesloten over de gezamenlijke ontwikkeling van apparaten van galliumnitride (GaN). Deze producten zijn gebaseerd op Panasonics doorgaans uitgeschakelde GaN-op-siliconen-transistorstructuur, die worden geïntegreerd in Infineons pakketten met zogeheten surface-mounted devices. In dit licht verleende Panasonic Infineon een licentie voor zijn GaN-op-siliconen-transistorstructuur. De overeenkomst stelt beide bedrijven in staat krachtige GaN apparatuur te fabriceren. Klanten hebben het extra voordeel dat ze twee mogelijke bronnen voor compatibele GaN-schakelaars hebben: een setup die tot op heden op geen enkel ander apparaat van GaN of siliconen zit. De bedrijven stellen voor het eerst proefexemplaren van een apparaat voor 600 volt en 70 milliohm in een DSO (Dual Small Outline)-pakket tentoon op de Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) dat van 15 tot 19 maart plaatsvindt in Charlotte.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, welke als enige rechtsgeldig is.

Contacts

Media Contacts
(Infineon)
Worldwide Headquarters
Fabian Schiffer
Tel: +49 89 234 25869
fabian.schiffer@infineon.com
(Panasonic)
Public Relations Group
Panasonic Corporation
Tel: +81-(0)3-3574-5664 Fax: +81-(0)3-3574-5699
Panasonic News Bureau
Tel: +81-(0)3-3542-6205 Fax: +81-(0)3-3542-9018

Contacts

Media Contacts
(Infineon)
Worldwide Headquarters
Fabian Schiffer
Tel: +49 89 234 25869
fabian.schiffer@infineon.com
(Panasonic)
Public Relations Group
Panasonic Corporation
Tel: +81-(0)3-3574-5664 Fax: +81-(0)3-3574-5699
Panasonic News Bureau
Tel: +81-(0)3-3542-6205 Fax: +81-(0)3-3542-9018