Infineon e Panasonic insieme per la fornitura congiunta di dispositivi di potenza GaN da 600 V normalmente spenti

APEC 2015

MONACO (Germania) e OSAKA (Giappone)--()--Infineon Technologies AG (FSE: IFX/OTCQX: IFNNY) e Panasonic Corporation (TSE: 6752) hanno annunciato un accordo ai sensi del quale le due società svilupperanno congiuntamente i dispositivi al nitruro di gallio (GaN) partendo dalla struttura dei transistor GaN su substrato di silicio normalmente spenti (modalità potenziamento) di Panasonic che sarà integrata nei pacchetti con montaggio superficiale dei dispositivi (surface-mounted device, SMD) di Infineon. In questo contesto, Panasonic ha messo a disposizione di Infineon una licenza per la sua struttura dei transistor GaN normalmente spenti.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

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