RFaxisがナノスケールCMOS技術によるIEEE 802.11ac RFフロントエンド製品ファミリーを発表へ

種々のプロセスノードで提供する業界最高性能のシングルチップ/シングルダイRFeICは、最先端のWLAN SoCに適合

米カリフォルニア州アーバイン--()--(ビジネスワイヤ) -- 無線接続/セルラー移動体通信市場向けの革新的な次世代RFソリューションに傾注する一流ファブレス半導体企業のRFaxisは本日、コードネーム「ニュークリアス(Nucleus)」のNano RF製品ファミリーを順次発表していきます。

最初に提供するデバイスのNucleus45は、40nm CMOSプロセスによる完全統合型の5GHz 802.11ac RFフロントエンドIC(RFeIC)で、戦略的顧客を対象に2014年第4四半期中のサンプル出荷を予定しています。同じ40nmノードによるデュアルバンド/デュアルモードRFeICとなるNucleus4は、2015年第1四半期に提供可能となります。当社は次世代型のNucleus2シリーズ製品も投入し、40nmプロセスノードから28nmプロセスノードへのシームレスな移行を支えます。

スマートフォン、PC/タブレット、高精細映像ストリーミング、モノのインターネット(IoT)などのアプリケーションに促され、Wi-Fiは一貫して巨大市場での成功に浸っており、その爆発的な成長の勢いを維持しています。ストラテジー・アナリティクスによれば、20億個以上のWi-Fiチップが2013年に出荷され、年間出荷数は2017年までに30億個を超えると予測されています。

さらに無線速度と実効データスループットを向上させるため、Wi-Fi業界は急いで最新の802.11ac規格を取り入れています。この規格は、10 Gbpsに迫る未踏の高速データ速度を実現するため、256QAMなどの先進的な変調方式をサポートしており、最大で8x8 のMIMO(多入力多出力)とMU-MIMO(マルチユーザーMIMO)が可能です。さらにサイズを削り、プロセッサー機能を高め、統合レベルを向上させるため、Wi-Fi SoCベンダーは自社の次世代製品において、一貫してCMOSプロセスノードの小型化へと向かっています。

CMOS技術が40nm、32nm、28nmのようにサブミクロンノードの領域でさらに小型化を続けている中で、供給電圧の低減は、基板リーク電流に伴う受動的損失とともに、高出力と良好な線形性、高い効率を備えたRF PA(高周波パワーアンプ)およびフロントエンドにおいて設計上の難題を突き付けています。他方、これらのナノスケールCMOSプロセスは、これまでにない信号処理能力など、数多くの新しい機能・利点を提供します。これらは適切に活用すれば、RF/アナログ設計に多大なメリットを及ぼし得るものです。

例えば、DPD(デジタル・プリディストーション)は今日主流のWi-Fi SoCでルーチン的に使用され、OFDM変調向けに良好な線形性を持つ合理的なオンチップ出力電力の実現に役立ってきました。一方、ET(エンベロープ・トラッキング)がCMOS PAの有望な実現技術として急浮上しており、3G/4G-LTEハンドセットアプリケーション向けの現在のGaAsベースPAに取って代わろうとしています。

これらの洗練された高機能デジタル技術はあらゆるタイプのRFフロントエンドソリューションの制御・強化に適用可能ですが、最高の相乗効果はSoC(ベースバンド/トランシーバー)とRFコンポーネントの両方を同じCMOSプロセスで設計・製造する際に生まれます。これがまさしくRFaxisのNucleus製品ファミリーが目指す目標です。RFaxisは特許取得済みのアーキテクチャー、専有的な高度技術、社内の設計ノウハウにより、低電圧CMOSデバイスにおいて線形の高RF出力電力を達成する上で、数々の技術的障壁を乗り越え、大成に至りました。

典型的な例がRFaxisのRFX240で、この2.4GHz 11b/g/n/ac PAは標準的な0.18um CMOSプロセスで設計され、5Vの供給電圧と64QAM OFDMの場合に3% EVMで26dBm(400mW)の線形出力を実現し、優れた電力付加効率(PAE)はGaAs/SiGeプロセス採用の競合設計を凌いでいます。RFaxisのPA、LNA、アンテナスイッチを備えた2.4/5GHz RFeICの広範なポートフォリオは量産段階にあり、低コストCMOSプロセス技術の結果として、前例のない価格で最先端の性能を提供しています。

RFaxisのNucleusファミリー

RFaxisはNucleus製品ファミリーにより、ナノプロセスノードの高性能RFを組み込むことで、さらに限界に挑み続けます。Nucleus45は、DPD技術を何ら用いることなく、11acの256QAM変調方式で求められる最も厳格な線形性要件を満たせるよう、18dBmの出力を実現できるように設計しています。搭載しているLNAは、インピーダンス整合とアンテナスイッチに伴う全損失を含め、2.5dBという極めて低い雑音指数をシステムレベルで実現しています。このRF性能はGaAs、SiGe、SOIなど、より高コストの半導体プロセスによる最先端設計のRF性能と肩を並べるものです。

Nucleusソリューションは無線業界に対して、さらに進んだミクロンプロセスノードでロバスト性のあるRF/デジタル/ミックスドシグナル設計を調和させるための道筋を提供します。その結果、お客さまは自社のRF性能目標を実現するに当たり、設計サイクルの短縮、開発リスクの大幅低減、市場投入期間の短縮を実現しながら、巨大な新規の研究開発投資を避けることができます。

RFaxis会長兼最高経営責任者(CEO)のマイク・ネシャットは、次のように述べています。「RFフロントエンドは、スマートフォンやタブレットなどの無線通信機器の受信感動を最適化し、最高のデータ速度を保証する上で、極めて重要な役割を担っています。RF設計における独自の課題によって、無線業界は今日まで、RFフロントエンドの所要性能を満たすため、高コストのガリウムヒ素(GaAs)やシリコンゲルマニウム(SiGe)という技術に依拠してきました。RFaxisは、ピュアCMOSプロセスによる完全なRFフロントエンドソリューションを妥協のない性能と完全に破壊的な価格で出荷できる企業として、初にして唯一の立場にあります。」

「RFaxisはNucleusの投入により、当社の目標実現に当たって確固たる歩みを続け、CMOSにネイティブで、Wi-Fi、ZigBee、Bluetooth、モノのインターネット向けの主流SoCに難なく集積できるRFフロントエンドソリューションを無線業界に提供することになります。」

RFaxisについて

2009年3月に設立されたRFaxis, Inc.は、米国カリフォルニア州アーバインに本拠を置き、RF半導体の設計と開発を専門にしています。特許技術により、当社は数十億ドル規模のWLAN 802.11b/g/a/n/ac、MIMO、IoT/M2M、ZigBee、Bluetooth、Bluetooth Low Energy、ANT、6LoWPAN、AMR/AMI、無線オーディオ・映像ストリーミング市場向けに設計された次世代無線ソリューションで、主導的役割を果しています。革新的アプローチや特許技術・独自技術を持つRFaxisは、ピュアCMOS技術を活用して世界初のRFフロントエンド集積回路(RFeIC™)を製造しています。詳しい情報はwww.rfaxis.comをご覧ください。

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