Toshiba sviluppa una tecnologia a bassa potenza per SRAM integrate

-Confermata una riduzione del 27% della potenza attiva e dell'85% della potenza in standby-

International Solid-State Circuits Conference 2013

TOKYO--()--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) ha annunciato oggi lo sviluppo di una tecnologia innovativa a bassa potenza per SRAM integrate, specifica per gli smartphone e altri dispositivi mobili. La nuova tecnologia riduce la potenza attiva e in standby a temperature comprese tra la temperatura ambiente (RT) e valori elevati (HT) usando un calcolatore di potenza a linee di bit (BLPC) e un circuito di ritenzione controllabile digitalmente (DCRC). Un prototipo ha confermato la riduzione del consumo di potenza attiva e in standby a 25°C rispettivamente del 27% e dell'85%.

Toshiba ha presentato questo progetto alla Conferenza Internazionale sui Circuiti a Stato Solido 2013 tenutasi a San Francisco (California) il 20 febbraio(1).

Una durata maggiore della batteria richiede un consumo ridotto della potenza sia in modalità di alte prestazioni che di basse prestazioni (decodifica MP3, elaborazione in background, ecc.).

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

Contacts

Toshiba Semiconductor & Storage Products Company
Megumi Genchi / Kunio Noguchi, +81-3-3457-3367
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sharing

Contacts

Toshiba Semiconductor & Storage Products Company
Megumi Genchi / Kunio Noguchi, +81-3-3457-3367
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp