东芝为汽车应用推出低导通电阻功率MOSFET

最新系列中添加了“DPAK+”封装产品,适用于高速开关应用

东京--()--(美国商业资讯) -- 东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)推出了一种低导通电阻、低漏电功率MOSFET。该产品采用最新的沟槽MOS工艺打造,成为汽车应用专用MOSFET系列中的新成员。新产品“TK100S04N1L”的导通电阻较低,综合采用了最新的第八代沟槽MOS工艺“U-MOS VIII-H系列”芯片以及利用铜连接器的“DPAK+”封装。该产品主要适用于汽车应用,尤其是电机驱动器和开关稳压器等需要高速开关的汽车应用。该产品现已推出样品,并计划于2013年3月投入量产。

 
极性   产品型号   漏极到源极电压
VDSS (V)
  漏极电流
ID (A)
  系列
通道号   TK100S04N1L   40   100   U-MOS VIII-H
 
主要特性
1. 低导通电阻: RDS(ON) = 1.9mΩ (标准值) (VGS=10V)
2. 低漏电电流: IDSS=10μA (最大值) (VDS=额定电压)
3. "DPAK+" 封装,通过利用铜连接器实现低导通电阻.
4. 通道温度 = 175°C 保证工作温度
 

*通过下述链接了解有关该产品的更多信息:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268084_2470.html

 
本新闻稿中的信息,包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息仅反映截至本新闻稿发布之日的情况,如有变动,恕不另行通知。
 

关于东芝
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东芝成立于1875年,如今运营有一个由550多家各级公司组成的全球网络,在全球拥有202,000名员工,年销售额逾6.1万亿日元(740亿美元)。请访问东芝网站:www.toshiba.co.jp/index.htm

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

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东芝公司
半导体 & 存储产品公司
Koji Takahata, +81-3-3457-3405
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Low ON-Resistance Power MOSFET for Automotive Applications in a "DPAK+" Package (Photo: Business Wire)

Toshiba Low ON-Resistance Power MOSFET for Automotive Applications in a "DPAK+" Package (Photo: Business Wire)

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