東芝：「nano tech 2013 第12回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議」への出展について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝は、１月３０日から２月１日までの３日間、東京ビッグサイトで開催されるナノテクノロジーに関する世界最大の展示会「nano tech 2013 第12回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議」に出展します。http://www.nanotechexpo.jp/

「nano tech 2013 第12回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議」

当社は、今後の成長事業としてスマートコミュニティ事業をグローバルに展開しています。今回の展示会において当社は、東芝グループが提案するスマートコミュニティを実現するための２つのコンセプトである「トータル・ストレージ・イノベーション」、「トータル・エネルギー・イノベーション」に貢献する次世代のナノテクノロジーを展示します。

展示では、「トータル・ストレージ・イノベーション」「先端基盤技術」「トータル・エネルギー・イノベーション」の３つのコーナーに分けて、１４テーマの展示を行い、東芝グループの持つ幅広いナノテクノロジーを紹介します。

展示内容

１．　トータル・ストレージ・イノベーション
	（１）	NAND型フラッシュメモリ
		最先端の19nmNAND微細化プロセス技術およびハイブリッドドライブ（NAND型フラッシュメモリ搭載HDD）のスピード比較デモンストレーションを実施
	（２）	HDD用Trilayer(トライレイヤー)構造ヘッド
		大容量化に向けたHDD再生ヘッドのナノオーダーの構造・磁性膜材料設計技術
	（３）	最先端マスク描画技術
		次世代半導体技術を支える最先端（hp22nmデバイス）の電子ビームマスク描画技術
	（４）	自己組織化リソグラフィ技術
		塗布・アニール・現像のみでパターニング可能な10nmノード世代半導体向け低コスト微細パターン形成技術
	（５）	ナノスケール先端分析技術
		半導体製品の信頼性を支える原子レベルのデバイス構造解析技術
	（６）	グラフェン複合透明導電フィルム
		光電子デバイスの軽量・柔軟化に向けた透明導電フィルムを実現するための、グラフェン／銀ナノワイヤ／ポリマー積層膜形成技術

２．　先端基盤技術
	（１）	高熱伝導性窒化物セラミックス（AlN基板、SiN基板）
		電子部品・モジュールの省エネ・小型・高性能化を実現する高熱伝導性・高絶縁特性・高強度セラミックス基板（結晶粒界制御）
	（２）	ナノ構造制御発光材料（S-サイアイロン蛍光体／GOSシンチレータ）
		LED照明やX線検査装置など、用途に応じた発光の制御を可能にする蛍光体材料技術
	（３）	新機能タングステン材料（光触媒スラリー／トリアフリー電極）
		光触媒や熱電子電極などの新／高機能の発現を可能にするタングステン材料技術

３．　トータル・エネルギー・イノベーション
	（１）	有機薄膜太陽電池
		室内光に適した有機薄膜太陽電池で世界最高レベルの変換効率（5 cm角サブモジュール）を実現する有機薄膜のナノ構造制御技術
	（２）	Dy（ジスプロシウム）フリーのモータ用磁石
		低資源リスクで高効率なモータの実現に向けた、磁石材料のナノスケール組成制御技術
	（３）	車載用／定置用二次電池SCiB^TM
		高入出力、低抵抗、長寿命な高性能二次電池を実現するナノ複合LTO電極技術、および応用製品
	（４）	気象レーダ向け超伝導フィルタ
		ゲリラ豪雨の観測が可能な気象レーダ向け超伝導フィルタの界面ナノ領域制御技術
	（５）	次世代照明（OLED照明、LD励起光源）
		生活に溶け込むあかりを実現するOLED照明のナノオーダーの有機薄膜構造制御技術およびLD励起光源