東芝:IGBT/MOSFETゲートドライブカプラの新製品発売について

-40~125℃の幅広い動作温度範囲を実現し、インバータ回路のデッドタイムの削減、高効率化に貢献

東京--()--(ビジネスワイヤ)-- 東芝は、中容量のIGBTやパワーMOSFETを直接駆動できるDIP8パッケージのICカプラの新製品「TLP250H」を製品化し、2月から量産を開始します。新製品は、最大伝搬遅延時間500ns、フォトカプラ製品間の伝搬遅延スキュー150nsを動作温度範囲内で保証しており、インバータ回路のデッドタイムの削減、高効率化に貢献します。また、寿命特性の優れた新規LEDを採用しており、動作温度範囲も-40~125℃まで幅広く保証しています。さらに、動作電源電圧を従来品の15V(最小)から10V(最小)へ下げることによって、電源電圧低減による低消費電力化にも貢献します。熱環境の厳しい産業用機器や家庭用太陽光発電システム、デジタル家電、制御機器など、幅広い分野で使用することが可能です。

応用機器
IGBT/パワーMOSFETゲートドライバ、パワーコンディショナ、汎用インバータ、IH (Induction Heating) 機器、など。

主な特長
(1)動作電源電圧:VCC=10~30V
(2)伝搬遅延時間:tpLH, tpHL=500ns(最大)
(3)伝搬遅延スキュー:±150ns(最大)
(4)広い動作保証温度範囲:Topr=-40°C~125°C
(5)出力ピーク電流:IOP=±2.5A(最大)
(6)低入力電流:IFLH= 5mA(最大)
(7)絶縁耐圧:BVS=5000Vrms(最小)
(8)コモンモード除去電圧:CMR=±40kV/μs

製品の詳細は当社ホームページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/opto/selection/topics/1267682_1930.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
オプトデバイス営業推進部 Tel:03-3457-3431

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Contacts

本資料に関するお問い合わせ先:
東芝セミコンダクター&ストレージ社
高畑浩二
Tel:03-3457-3405
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

東芝 IGBT/MOSFETゲートドライブカプラ(写真:ビジネスワイヤ)

東芝 IGBT/MOSFETゲートドライブカプラ(写真:ビジネスワイヤ)

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