东芝为CMOS毫米波电路的发展开发紧凑型MOS可变电抗器模拟模型

- 精确度从DC至毫米波且采用单模型 -

2012 Asia-Pacific Microwave Conference

东京--()--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)今天宣布开发精确度从DC(直流)至毫米波(60 GHz)的紧凑型MOS可变电抗器1模拟模型。新模型由东芝和冈山县立大学(Okayama Prefectural University)的Nobuyuki Itoh教授共同研制。

新的紧凑型MOS可变电抗器模型引入原始算法来表达尺度效应,并可捕捉到支配60 GHz范围的寄生效应的影响。针对元件大小不同的样品,使用了1 MHz - 60 GHz的测量参数进行建模。一般而言,很难通过单模型来表示MOS可变电抗器,但是新开发的模型却成功做到了这一点。

新模型能够准确捕捉到寄生效应,这就为实现RF-CMOS产品的低功耗提供了支持。东芝将利用基础技术来开发此类芯片,而这些芯片是该公司模拟与成像集成电路部门的主要器件。得益于目前已取得的成效,东芝预计将来可精确地对CMOS毫米波电路进行模拟。

通过自身的65 nm RF-CMOS技术,东芝已经打造出了元件长度从0.26 um至2.0 um不等的样品,并使用这些样品对新模型进行了验证。所有尺寸的元件均取得了DC至67 GHz的精确度。

该模型的验证工作是在60 GHz电路上完成的。东芝使用这种用于调频组件的模型对60 GHz VCO控制电压上的相位噪声水平依赖性进行了测量,并与电路模拟进行了比较。结果显示,测量精度达8 dB,优于传统模型2

这些研发成果在12月4-7日在台湾举行的亚太微波会议(Asia-Pacific Microwave Conference)上进行了展示。

  1. MOS(金属氧化物半导体)可变电抗器是一种平面元件,历来都使用CMOS技术制造。通常来说,该元件广泛用于CMOS VCO(压控振荡器)电路的调频组件。
  2. BSIM(伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型)是通常用于模拟MOS可变电抗器的传统模型。该模型由加州大学伯克利分校开发。

关于东芝

东芝是一家全球领先的多元化制造商、解决方案提供商以及先进电子电器产品营销商。东芝集团的创新和成像业务非常广泛,包括:数码产品,包括LCD电视、笔记本电脑、零售解决方案和多功能一体机(MFP);电子产品,包括半导体、存储产品和材料;工业和社会基础设施系统,包括发电系统、智能社区解决方案、医疗系统以及扶手电梯和升降机;以及家用电器。

东芝成立于1875年,如今运营有一个由550多家各级公司组成的全球网络,在全球拥有202,000名员工,年销售额逾6.1万亿日元(740亿美元)。请访问东芝网站:www.toshiba.co.jp/index.htm

本新闻稿中的信息,包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息仅反映截至本新闻稿发布之日的情况,如有变动,恕不另行通知。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

东芝半导体 & 存储产品公司
Megumi Genchi / Kunio Noguchi, +81-3-3457-3367
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba developed a compact MOS-Varactor model with Okayama Prefectural University, delivering high level accuracy to the millimeter wave region. (Graphic: Business Wire)

???news_view.multimedia.download???

???pagination.previous??? ???pagination.next???

Sharing

Contacts

东芝半导体 & 存储产品公司
Megumi Genchi / Kunio Noguchi, +81-3-3457-3367
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp