Toshiba lanceert nieuwe N-channel lage ON-Resistance MOSFETs

TOKYO--()--Toshiba Corporation is gestart met een lage OP-weerstand MOSFET, TPN2R503NC. Deze is gemaakt met de nieuwste generatie proces voor gebruik in de beschermingcircuit van de lithiumbatterij en energiebeheerschakelaartjes in de mobiele telefoon.

Twee andere 8ste generatie producten, TPN4R203NC en TPN6R303NC, zijn ook toegevoegd aan de productfamilie als opvolgers van bestaande modellen. Alle drie de producten dragen bij aan een vermindering van de dikte en grootte van het apparaat en verbeteren de efficiƫntie.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal welke als enige juridische geldigheid beoogt.

Contacts

Toshiba Semiconductor & Storage Products Company
Koji Takahata, +81-3-3457-3405
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba N-channel Low ON-Resistance MOSFET (Photo: Business Wire)

Toshiba N-channel Low ON-Resistance MOSFET (Photo: Business Wire)

???news_view.multimedia.download???

???pagination.previous??? ???pagination.next???

Sharing

Contacts

Toshiba Semiconductor & Storage Products Company
Koji Takahata, +81-3-3457-3405
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp