東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ)-- 当社は、リチウムイオン電池保護回路、各種携帯機器のパワーマネジメントスイッチ向けに、最新の第8世代プロセスを採用した低オン抵抗MOSFET「TPN2R503NC」を製品化し、量産を開始しました。また、当社既存製品の後継品として、「TPN4R203NC」と「TPN6R303NC」を製品化し、機器の小型・薄型化、高効率化に貢献するラインアップをそろえました。
応用機器
(1)リチウムイオン電池保護回路
(2)各種携帯機器のパワーマネジメントスイッチ
主な特長
(1)最新の第8世代プロセスを採用し、当社既存製品以上の低オン抵抗を実現。
(2)放熱特性に優れる「TSON Advance」パッケージを採用。
(3)高アバランシェ耐量を実現。
新製品の主な仕様 |
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品番 | VDSS(V) | VGSS(V) | RDS(ON) (mΩ) | パッケージ | ||||||||||
VGS=10V | VGS=4.5V | |||||||||||||
Typ. | Max | Typ. | Max | |||||||||||
TPN2R503NC | 30 | ±20 | 2.1 | 2.5 | 3.2 | 4.1 | TSON Advance | |||||||
TPN4R203NC | 3.5 | 4.2 | 5.1 | 6.4 | ||||||||||
TPN6R303NC | 5.2 | 6.3 | 6.9 | 8.4 | ||||||||||
製品の詳細はホームページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/transistor/selection/topics/1265359_2006.html
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