東芝:最新プロセスを採用したNチャネル低オン抵抗MOSFETの新製品発売について

リチウムイオン電池保護回路や、各種携帯機器のパワーマネジメントスイッチ用に開発

東京--()--(ビジネスワイヤ)-- 当社は、リチウムイオン電池保護回路、各種携帯機器のパワーマネジメントスイッチ向けに、最新の第8世代プロセスを採用した低オン抵抗MOSFET「TPN2R503NC」を製品化し、量産を開始しました。また、当社既存製品の後継品として、「TPN4R203NC」と「TPN6R303NC」を製品化し、機器の小型・薄型化、高効率化に貢献するラインアップをそろえました。

応用機器

(1)リチウムイオン電池保護回路

(2)各種携帯機器のパワーマネジメントスイッチ

主な特長

(1)最新の第8世代プロセスを採用し、当社既存製品以上の低オン抵抗を実現。

(2)放熱特性に優れる「TSON Advance」パッケージを採用。

(3)高アバランシェ耐量を実現。

 

新製品の主な仕様

品番   VDSS(V)   VGSS(V)   RDS(ON) (mΩ)   パッケージ
VGS=10V   VGS=4.5V
Typ.   Max Typ.   Max
TPN2R503NC 30 ±20 2.1 2.5 3.2 4.1 TSON Advance
TPN4R203NC 3.5 4.2 5.1 6.4
TPN6R303NC       5.2   6.3   6.9   8.4  
 

製品の詳細はホームページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/transistor/selection/topics/1265359_2006.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Contacts

本資料に関するお問い合わせ先:
東芝 セミコンダクター&ストレージ社
高畑浩二
Tel:03-3457-3405
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel:03-3457-3416

東芝 Nチャネル低オン抵抗MOSFET (写真:ビジネスワイヤ)

東芝 Nチャネル低オン抵抗MOSFET (写真:ビジネスワイヤ)

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