シリコン・ジェネシス、従来技術のギャップを埋める20um「カーフ・フリー」PVフォイルを製造

シリコン・ジェネシスが20um mono c-Si PVフォイルでウェーハ厚みの最小記録を達成

米カリフォルニア州サンノゼ発 -- （ビジネスワイヤ） -- 半導体基板製造技術大手のシリコン・ジェネシスは今日、業界初となる厚み20um（マイクロメートル）の太陽電池用フォイルを製造したと発表しました。この125mm角単結晶シリコン（mono c-Si）フォイルは丈夫で柔軟性が高いことが判明しています。薄膜でもウェーハでもないこの新しいフォーム・ファクターは、薄く柔軟であるにも関わらず自立構造を持つ素材としての独特の物理的特性を表すために、「フォイル」と名付けられました。シリコン・ジェネシスのPolyMax™カーフ・フリー・ウェーハ（切断面・加工面がなく切断ロスの少ないウェーハ）プロセス技術の発展における重要な節目となります。

「当社の20um c-Siフォイルは高効率化の可能性を備えているため、太陽光発電業界にとって新たな機会が生まれます。20umフォイルの柔軟性によって、BIPVやフレキシブルPVなどの多様なアプリケーションの開発が可能になります。極薄PolyMax技術にはコスト・パフォーマンスの優位性があるため、薄膜技術の採用は限られたものになるだろうという私の確信はこれによって強まりました。」

この厚み20umの太陽電池用フォイルは、薄膜PV（太陽光発電システム）のポリマー使用率が低いという利点とmono c-Si PVが備えている高効率化の可能性を併せ持ちます。これによって生産コスト全体を劇的に低減する道が開け、ワット当たり単価の削減に繋がります。これにより将来、従来のシリコンPVアブソーバー技術の適用範囲が広がると予想されます。このmono c-Siフォイルは、厚み150umおよび50umのフル・サイズ・ウェーハのパイロット・ライン生産が最近実証されたことなどの継続的発展の結果です。これらのパイロット生産能力は、大量生産装置の開発に現在使用されています。

20umのmono c-Siフォイルが入手可能になったことで、PVセル・メーカーがコスト効率の良い生産を行って新たなアプリケーションと形式を模索することが可能になります。PolyMaxシステムにはカーフ・フリーという性質があるため、素材を節約して、より薄いmono c-Siウェーハとフォイルを用いて新たなカテゴリーの開発を進めることが可能になります。

シリコン・ジェネシスの最高経営責任者（CEO）であるフランソワ・ヘンリー氏は次のようにコメントしています。「当社の20um c-Siフォイルは高効率化の可能性を備えているため、太陽光発電業界にとって新たな機会が生まれます。20umフォイルの柔軟性によって、BIPVやフレキシブルPVなどの多様なアプリケーションの開発が可能になります。極薄PolyMax技術にはコスト・パフォーマンスの優位性があるため、薄膜技術の採用は限られたものになるだろうという私の確信はこれによって強まりました。」

PolyMaxシステムのコンセプトと20um基板が生み出した結果は、最近ドイツ・ミュンヘンで開催されたフォトン第4回太陽光発電国際展示会で発表されました。

シリコン・ジェネシスについて

シリコン・ジェネシスは、半導体、ディスプレイ、オプトエレクトロニクス、太陽電池といった市場向けの基板製造技術の大手プロバイダーです。シリコン・ジェネシスの技術は、高性能アプリケーション向けのシリコン・オン・インシュレーター（SOI）半導体ウェーハの生産に用いられています。シリコン・ジェネシスは薄膜技術によって革新的な基板を開発し、その顧客が新しいアプリケーションや市場を創出可能になっています。シリコン・ジェネシスの顧客とパートナーには、世界の基板およびデバイスのサプライヤーの大手企業が含まれます。創立は1997年で、本社はカリフォルニア州サンノゼにあります。シリコン・ジェネシスの詳細については、 http://www.sigen.com を参照してください。

写真/マルチメディア・ギャラリー： http://www.businesswire.com/cgi-bin/mmg.cgi?eid=5909193&lang=en

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