Toshiba créé une nouvelle technologie de plateforme pour le process CMOS 40 nm

Consommation d’énergie réduite de plus de 50 %

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a annoncé aujourd’hui une technologie de plateforme CMOS de 40 nm basée sur la technologie de process 45 nm codéveloppé avec NEC Electronics. La nouvelle plateforme fabrique un système sur silicium (SOC, system-on-silicium) pour les applications où l’énergie est vitale qui consomme moins de la moitié de l’énergie des LSI de la génération 65 nm. La société a également annoncé qu’elle prévoyait de déployer la technologie sur des échantillons au quatrième trimestre de l’exercice 2008, et en production de masse au deuxième trimestre de l’exercice 2009. La nouvelle plateforme a été dévoilée aujourd’hui à l’occasion de l’IEDM, à San Francisco en Californie.

Les applications mobiles évoluées requièrent une taille de puce réduite et une consommation d’énergie diminuée. La migration du process est une solution pour répondre à la demande, mais le raccourcissement de la longueur de canal tend à provoquer une déperdition de courant. La réduction de la consommation d’énergie et simultanément de la taille de puce requiert la maîtrise de la concentration des canaux en impuretés et l’affinage de l’implantation.

Toshiba a créé et appliqué une nouvelle technologie de plateforme pour une nouvelle séquence d’activation par lampe flash de recuit, en optimisant les impuretés dans le processus d’implantation ionique et grâce à l’application d’isolateurs incorporés dans le hafnium et de technologies DFM (conception de fabrication). Le doublement du processus de recuit à lampe flash a augmenté les performances à la fois des PMOS (transistors à canal P) et des NMOS (MOS à canal N). Le dopage du germanium à l’azote au cours du processus d’implantation des ions a minimisé la concentration au niveau du canal, ce qui contribue à augmenter les performances du transistor. Les isolateurs incorporés dans le hafnium améliorent le courant d’attaque en augmentant la tension de seuil sans provoquer de concentration excessive d’impuretés dans les canaux. L’application de technologies DFM a permis de réaliser une implantation fortement proportionnée en diminuant les défauts lithographiques.

Toshiba continuera de faire progresser le développement de technologies faiblement consommatrices d’énergie pour les générations futures.

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.