Toshiba führt neue Plattformtechnologie für 40-nm-CMOS-Prozesse ein

Senkung des Stromverbrauchs um über 50%

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Die Toshiba Corporation (TOKIO:6502) gab heute eine neue Plattformtechnologie für 40-nm-CMOS-Prozesse bekannt, die auf einer 45-nm-Prozesstechnologie basiert und zusammen mit NEC Electronics entwickelt wurde. Die neue Plattform produziert Systemchips (SOC) für Mobilanwendungen mit einer kritischen Stromversorgung, die über 50% weniger Strom als die 65-nm-Generation von LSI benötigen. Das Unternehmen verkündete zudem, dass es die Technologie erwartungsgemäß im vierten Quartal des Finanzjahres 2008 für Musterteile einsetzen wird und dass es anschließend im zweiten Quartal des Finanzjahres 2009 mit der Massenproduktion beginnt. Die neue Plattform wurde heute bei der IEDM in San Francisco, Kalifornien, offiziell vorgestellt.

Für eine hoch entwickelte Mobilanwendung sind kleinere Chipgrößen und ein niedrigerer Stromverbrauch notwendig. Prozessmigration ist eine Lösung, um diese Anforderungen zu erfüllen, allerdings tendieren kürzere Kanallängen zu Ableitstrom. Sowohl das Senken des Stromverbrauchs als auch die Reduktion der Chipgröße erfordern die Kontrolle der Störstellenkonzentration in den Kanälen und eine feinere Anordnung.

Toshiba hat eine neue Plattformtechnologie für eine neue Aktivierungssequenz entwickelt und angewendet, bei der die Blitzlampenausheilung genutzt wird, durch die der Bestandteil an Fremdstoffen im Ionenimplantationsprozess optimiert wird und in Hafnium eingebundene Isolatoren sowie DFM-Technologien (DFM = Fertigungsdesign) eingesetzt werden. Durch die Verdoppelung des Ausheilungsprozesses mit Blitzlampen wurde die Leistung sowohl der PMOS als auch der NMOS erhöht. Anhand der Dotierung von Germanium mit Stickstoff im Ionenimplantationsprozess wurde die Konzentration auf der Kanalfläche minimiert, was zu einer größeren Transistorenleistung beiträgt. In Hafnium eingebundene Isolatoren verbessern den Ansteuerstrom, indem die Schwellenspannung erhöht wird, ohne dass es dabei zu einer übermäßigen Konzentration von Störstellen im Kanal kommt. Der Einsatz von DFM-Technologien hat eine stark skalierte Anordnung mit weniger Defekten bei der Lithographie möglich gemacht.

Toshiba wird die Entwicklung von Technologien mit einem geringeren Stromverbrauch für fortgeschrittene Generationen weiter vorantreiben.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.