Toshiba ajustará la producción de memorias flash NAND en Yokkaichi

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy que ajustará la producción de memorias flash NAND en su planta Yokkaichi Operations localizada en la prefectura Mie en Japón. El ajuste reducirá la producción en aproximadamente un 30% a partir de enero de 2009.

La recesión que experimenta la economía mundial y la disminución en los gastos de consumo están teniendo un impacto significativo en la demanda de semiconductores. Esto es particularmente notorio en las memorias flash NAND, donde la disminución en la demanda de aplicaciones tales como las tarjetas de memoria y los reproductores MP3 ha generado un exceso de oferta. Toshiba ha considerado esta situación de manera exhaustiva y decidió reducir la producción en Yokkaichi.

Yokkaichi Operations cuenta con cuatro plantas de fabricación de chips (fabs). Fab 3 y Fab 4 producen memorias flash NAND sobre obleas de 300 milímetros (mm) y Fab 1 y Fab 2 sobre obleas de 200 mm.

Antes del ajuste de producción que se iniciará en enero, las líneas de producción de obleas de 300 milímetros suspenderán sus operaciones durante 13 días, y las líneas de producción de obleas de 200 milímetros durante cuatro días, durante los períodos de fin de año y año nuevo.

Toshiba continuará supervisando el mercado de memorias NAND y revisará el plan de operaciones en Yokkaichi según sea necesario.

Puesto que el sistema LSI y los dispositivos discretos también están enfrentando una débil demanda por parte de los productos de consumo de tecnología digital, Toshiba también ha revisado las fechas de operación para sus plantas de semiconductores durante los períodos de fin de año y año nuevo, y los detalles son los que se anexan.

ANEXO

A continuación se relacionan los horarios de operación de las fabs de Toshiba en sus instalaciones de fabricación de semiconductores para los períodos de fin de año y año nuevo.

La recesión que experimenta la economía mundial y la disminución en los gastos de consumo están teniendo un impacto significativo en la demanda de semiconductores. Esto es particularmente notable en las memorias flash NAND, donde la disminución en la demanda de aplicaciones tales como las tarjetas de memoria y los reproductores MP3 ha generado un exceso de oferta. El sistema LSI y los dispositivos discretos también presentan una débil demanda por parte de los productos de consumo de tecnología digital. Toshiba ha considerado esta situación de manera exhaustiva y ha decidido suspender parte de sus operaciones como se describe a continuación.


Nombre de la planta, ubicación y productos principales		Producción durante el fin de año de 2008 y año nuevo de 2009
Yokkaichi Operations Ciudad de Yokkaichi, prefectura Mie Memoria: Memorias flash NAND		Las líneas de producción de obleas de 300 mm suspenderán su producción durante 13 días, desde el 31 de diciembre al 12 de enero; las líneas de producción de obleas de 200 mm lo harán durante 4 días desde el 31 de diciembre al 3 de enero. (El período de festividades de fin de año y año nuevo para la fábrica va desde el 28 de diciembre hasta el 4 de enero, un total de ocho días. Durante ese lapso, las líneas de producción de obleas de 300 mm se detendrán durante 5 días y las de obleas de 200 mm lo harán durante 4 días)
Oita Operations Ciudad de Oita, prefectura Oita Sistema LSI: SoCs, sensores de imagen CMOS		Las líneas de producción de obleas de 300 mm se detendrán el 5 y 6 de enero por mantenimiento y otras líneas suspenderán su producción durante 22 días desde el 24 de diciembre hasta el 14 de enero. (El período de festividades de fin de año y año nuevo para la fábrica va desde el 24 de diciembre hasta el 8 de enero, un total de 16 días. Durante ese lapso, las líneas de producción de obleas de 300 mm operarán todos los días excepto el 5 y 6 de enero; otras líneas suspenderán la producción durante 16 días.
Kitakyushu Operations Ciudad de Kitakyushu, prefectura Fukuoka Sistema LSI: Circuitos Integrados análogos Discretos: opto semiconductores		Kitakyushu Operations suspenderá su producción durante 25 días desde el 25 de diciembre hasta el 18 de enero. (El período de festividades de fin de año y año nuevo para la fábrica va desde el 28 de diciembre hasta el 11 de enero, un total de 15 días, y suspenderá todas sus operaciones durante dicho lapso)
Himeji Operations- Semiconductor Ibo-gun, prefectura Hyogo Discretos: Circuito Integrado de potencia, Circuito Integrado de señal débil		Himeji Operations-Semiconductor suspenderá su producción durante 18 días desde el 20 de diciembre al 6 de enero. (El período de festividades de fin de año y año nuevo para la fábrica va desde el 28 de diciembre hasta el 5 de enero, un total de 9 días, y suspenderá todas sus operaciones durante dicho lapso)

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