Toshiba ajuste sa production de mémoires flash NAND à Yokkaichi

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a annoncé aujourd’hui l’ajustement de sa production de mémoires flash NAND dans ses usines des opérations de Yokkaichi dans la Préfecture de Mie au Japon. Cet ajustement va réduire la production d’environ 30 %, à prendre effet en janvier 2009.

La récession de l’économie mondiale et le ralentissement des dépenses de consommation exercent un impact significatif sur la demande de semi-conducteurs. Ceci est particulièrement évident pour les mémoires flash NAND, où une demande réduite pour des applications telles que les cartes mémoire et les lecteurs MP3 a entraîné une offre excédentaire. Toshiba a considéré avec soin la situation et décidé de réduire la production de Yokkaichi.

Les opérations de Yokkaichi couvrent quatre usines. L’usine 3 et l’usine 4 produisent des mémoires flash NAND sur des tranches de 300 millimètres (mm), l’usine 1 et l’usine 2 sur des tranches de 200 mm. Avant l’ajustement de la production en janvier, les chaînes de tranches de 300 mm vont cesser de fonctionner pendant 13 jours, et celles des tranches de 200 mm pendant quatre jours, pendant la période de fin d’année et du Nouvel An.

Toshiba va continuer à surveiller le marché NAND et à réviser le plan opérationnel de Yokkaichi selon le besoin.

Alors que System LSI et Discrete constatent également une faible demande des produits numériques grand public, Toshiba a également révisé les dates d’exploitation de ses autres usines de semi-conducteurs pendant la période de fin d’année et du Nouvel An, et les détails sont les suivants.

PIÈCE JOINTE

Les calendriers d’exploitation des usines Toshiba dans ses principales installations de fabrication de semi-conducteurs pour la période de fin d’année et du Nouvel An sont les suivants.

La récession de l’économie mondiale et le ralentissement des dépenses de consommation exercent un impact significatif sur la demande des semi-conducteurs. Ceci est particulièrement évident pour les mémoires flash NAND, où une demande réduite pour des applications telles que les cartes mémoire et les lecteurs MP3 a entrainé une offre excédentaire. System LSI et Discrete constatent également une faible demande des produits numériques grand public. Toshiba a considéré avec soin la situation globale et décidé de suspendre une partie de ses opérations, comme indiqué ci-dessous.


Nom et emplacement de l’usine, et principaux produits		Production de fin d’année 2008 et du Nouvel An 2009
Opérations de Yokkaichi Ville de Yokkaichi, préfecture de Mie Mémoire : Mémoires flash NAND		Les chaînes de tranches de 300 mm cesseront pendant 13 jours du 31 décembre au 12 janvier et Les chaînes de tranches de 200 mm cesseront pendant quatre jours du 31 décembre au 3 janvier. (Les congés de fin d’année et du Nouvel An de l’usine vont du 28 décembre au 4 janvier, huit jours au total. Pendant cette période, les chaînes de tranches de 300 mm cesseront pendant cinq jours, les chaînes de tranches de 200 mm pendant quatre jours)
Opérations d’Oita Ville d’Oita, préfecture d’Oita System LSI : Systèmes sur puce, capteurs d’image CMOS		Les chaînes de tranches de 300 mm cesseront le 5 et 6 janvier pour la maintenance et les autres chaînes cesseront pendant 22 jours du 24 décembre au 14 janvier. (Les congés de fin d’année et du Nouvel An de l’usine vont du 24 décembre au 8 janvier, 16 jours au total. Pendant cette période, les chaînes de tranches de 300 mm fonctionneront chaque jour sauf le 5 et 6 janvier et les autres chaînes cesseront pendant 16 jours).
Opérations de Kitakyushu Ville de Kitakyushu, préfecture de Fukuoka System LSI: Circuits intégrés analogiques Discrete: opto semi-conducteurs		Les opérations de Kitakyushu cesseront pendant 25 jours du 25 décembre au 18 janvier. (Les congés de fin d’année et du Nouvel An de l’usine vont du 28 décembre au 11 janvier, 15 jours au total et toutes les opérations cesseront pendant cette période).
Opérations de Himeji Semi-conducteurs Ibo-gun, préfecture de Hyogo Discrete : Circuits intégrés de puissance, Circuits intégrés à faible signal		Les opérations de Himeji Semi-conducteurs cesseront pendant 18 jours du 20 décembre au 6 janvier. (Les congés de fin d’année et du Nouvel An de l’usine vont du 28 décembre au 5 janvier, neuf jours au total et toutes les opérations cesseront pendant cette période).

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.