Toshiba, IBM en AMD ontwikkelen 's werelds kleinste FinFET SRAM cel met high-k/metal gate

TOKYO & NEW YORK & SUNNYVALE, Californië--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO:6502), IBM (NYSE:IBM) en AMD (NYSE:AMD) melden dat zij samen een Static Random Access Memory (SRAM) cel hebben ontwikkeld met een omtrek van 0,128 vierkante micrometer (µm²). Daarmee is het de kleinste functionele SRAM cel ter wereld die gebruik maakt van fin-shaped Field Effect Transistors (FinFETs). De cel, die is ontwikkeld met een high-k/metal gate (HKMG) materiaal, biedt ten opzichte van planar-FET cellen voordelen voor toekomstige technologie generaties.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal welke als enige juridische geldigheid beoogt.