Toshiba, IBM e AMD sviluppano la cella SRAM con architettura FinFET e tecnologia high-k/metal gate più piccola al mondo

-- Superficie della cella SRAM FET non planare ridotta di oltre il 50%; nasce un approccio promettente per i futuri nodi tecnologici --

TOKYO, NEW YORK e SUNNYVALE, California--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO : 6502), IBM (NYSE : IBM) e AMD (NYSE : AMD) hanno annunciato oggi di aver messo a punto congiuntamente una cella di memoria SRAM (Static Random Access Memory) con una superficie di soli 0,128 micrometri quadrati (μm²), la cella SRAM funzionale più piccola al mondo che impiega transitori ad effetto di campo ad aletta (fin-shaped Field Effect Transistors, FinFET).

La cella, realizzata impiegando un materiale noto come high-k/metal gate (HKMG), comporta vari vantaggi rispetto alle celle FET planari per le future generazioni tecnologiche.

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