东芝、IBM和AMD采用高电介质/金属栅极联合开发世界上最小的FinFET SRAM单元

——非平面FET SRAM单元所占面积将缩小50%以上；为今后的技术节点建立了有希望的实现方法——

株式会社东芝（东京证券交易所：6502）、IBM公司（纽约证券交易所：IBM）和AMD公司（纽约证券交易所：AMD）今天宣布，三方采用鳍片场效应晶体管（FinFET）共同开发了一种静态随机存储器（SRAM）单元，其面积仅为0.128平方微米（μm2），是世界上最小的实用SRAM单元。

该存储单元采用高电介质/金属栅极（high-k/metal gate，简称HKMG）材料开发，为今后几代新技术带来了优于平面场效应晶体管（FET）单元的技术优势。SRAM单元是微处理器等大多数系统级大规模集成电路的电路部件。更小的SRAM单元面积有助于缩小处理器的尺寸，提高其处理速度，减少处理器的功耗。这项技术是12月16日在加州旧金山2008年国际电子器件会议（ http://www.his.com/~iedm/general/ ）上，以一篇技术论文的形式公布的。

使用传统的平面晶体管来构建SRAM单元时，为了缩小晶体管的尺寸，集成电路制造商通常在器件区域添加更多杂质以调整其特性。但是，这样的调整会带来人们不希望看到的变异，破坏SRAM的稳定性。这一问题越来越重要了，在22nm及更先进的技术节点水平下问题更为突出。采用FinFET（垂直晶体管加鳍片状无掺杂硅通道），可另辟蹊径，缩小SRAM单元的尺寸，减少特性变异。

三家公司的研究人员使用高电介质/金属栅极材料制成了一个大规模FinFET SRAM单元。这是迄今为止最小的非平面FET SRAM单元，面积仅有0.128μm2；与之前报道的0.274μm2非平面FET单元相比，该集成单元面积缩小了50%还多。为了达到这个目标，开发团队优化了工艺，特别是使材料（包括高电介质/金属栅极）在非平面FinFET结构的垂直边面沉积的工艺和后续的清洗工艺。

研究人员还研究了这种大规模SRAM单元之中FinFET特性的随机变异情况，并在更小的单元尺寸条件下，模拟了SRAM单元的变异。他们证实，通道无掺杂的FinFET能使晶体管特性变异的情况减少28%以上。模拟0.063μm2（相当于或超过22nm技术节点的单元规模水平）SRAM单元的结果证明，这种FinFET SRAM单元有望在稳定运行方面带来明显优于这一代平面FET SRAM单元的优势。

三家公司成功采用高电介质/金属栅极制成了大规模FinFET SRAM单元，使FinFET成为面向22nm乃至更高水平技术节点的一种富有吸引力的晶体管结构。这项新技术是向功能更强大的实用器件迈出的新的一步。

免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。